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SI解析の観測点:pinとdie、どっちで判断すべき?― pinでOKでも実機NGになった理由

SI解析の観測点:pinとdie 基板設計の実務ノウハウ
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「SI解析では問題なし」

そう判断して基板を納品。
ところが実機評価でNG。

私自身、これを一度やっています。

シミュレーションでは pin波形でマージンOK
オーバーシュートも規格内。
タイミングも成立。

しかし実機では、受信側でエラーが発生。

原因は単純でした。

観測点が違った。

pinで見ていた。
でも実際に信号を判断しているのは、IC内部の“die”だった。

この記事では、
「SI解析ではpinとdie、どちらで判断すべきか?」
その答えを、実務目線で整理します。


まず整理:信号はどこを通っているのか

信号経路はこうなっています。

Driver die

パッケージ(ボンドワイヤ / バンプ)

Pin

基板配線

Pin

パッケージ

Receiver die

重要なのはここです。

ロジック判定をしているのは、Receiver die。

pinではありません。


なぜpinでOKでもNGになるのか?

理由はシンプルです。

1)パッケージ寄生成分の影響

pinとdieの間には、

  • パッケージインダクタンス(Lpkg)
  • 抵抗(Rpkg)
  • 容量(Cpkg)
  • ボンドワイヤのインダクタンス
  • フリップチップのバンプ寄生

が存在します。

高速信号では、この数nHが致命的になります。

典型例

  • pin波形:リンギング軽微、VIH超えている
  • die波形:アンダーシュート増大、クロスポイント遅延

つまり、

pinは綺麗でも、dieでは崩れている

ということが普通に起きます。


2)しきい値判定はdie内部

受信判定に使われるのは、

  • 入力バッファ
  • オンダイ終端(ODT)
  • ESDクランプ

すべてdie側です。

pin電圧が規格内でも、

  • die到達時の振幅不足
  • 立ち上がり遅延
  • SSNによるグランドバウンス

が起きれば、タイミングは崩れます。


3)IBISモデルの“pin”はどこか?

ツールによっては、

  • Pin = パッケージ外部端子
  • Die = バッファ直前

と定義されています。

つまり、

pinで評価する=パッケージを無視している

場合がある。

ここが最大の落とし穴です。


では、どっちで判断すべきか?

結論を曖昧にしません。


✔ タイミング評価 → dieで見る

setup/hold、クロスポイント、マージン。

これは必ずdie基準

なぜならロジック判定はdieだから。


✔ オーバーシュート/ESDストレス → dieも確認

クランプ動作はdie内部。
pinだけ見ていると見逃します。


✔ 基板反射評価 → pinでOKなケースもある

配線インピーダンス評価や反射傾向を見る場合は
pinでも有効。

ただし最終判定はdie確認が前提。


実機NGを防ぐためのチェックリスト

納品前に必ず確認すべきこと。

  • 受信側die波形でVIH/VIL成立しているか
  • dieクロスポイントが規格内か
  • パッケージモデルを有効にしているか
  • ODT設定が実機と一致しているか
  • SSNを考慮しているか

ここを確認していれば、
「pinではOKだったのに…」は防げます。


FAQ:SI解析におけるpinとdieの疑問


Q1. SI解析では基本的にdieで見ればいいのですか?

最終判断はdieです。

理由は単純で、
ロジック判定をしているのは受信側のdie内部だからです。

  • setup/hold確認
  • VIH/VIL成立
  • クロスポイント評価

これらは必ずdie基準。

ただし、反射傾向や配線品質を見る初期検討段階ではpin観測も有効です。
解析の目的で使い分けるのが正解です。


Q2. pinとdieの波形はどれくらい違うものですか?

速度次第です。

低速(数十MHz)では差はほぼ無視できます。
しかし、

  • DDR
  • SerDes
  • 高速GPIO

になると、パッケージの数nHが効きます。

典型的な差は:

  • 立ち上がり遅延
  • 振幅減衰
  • アンダーシュート増大
  • クロスポイントシフト

高速になればなるほど、差は無視できません。


Q3. IBISモデルで“pin”を選ぶと何を見ていることになりますか?

多くのツールでは:

  • pin = パッケージ外部端子
  • die = I/Oバッファ直前

つまりpin評価は、
パッケージ内部寄生成分を通る前の波形を見ている可能性があります。

モデル定義は必ず確認してください。
ツール任せは危険です。


Q4. 実機NGになりやすいのはどんなケースですか?

典型的なのは:

  • パッケージが大きいBGA
  • ボンドワイヤ構造
  • SSNが大きいバス
  • ODT設定違い
  • 電源インピーダンスが高い

これらはdie側で波形が崩れやすい。

pinでは見えません。


Q5. すべてdieで見れば安心ですか?

ほぼ正解ですが、盲点があります。

  • パッケージモデルが簡易化されている
  • IBISが理想的すぎる
  • PDNが含まれていない

モデル精度が低いと、dieで見ても外します。

観測点だけでなく、モデル境界の確認も必須です。


Q6. pin評価で問題ないケースはありますか?

あります。

  • 低速デジタル
  • 立ち上がりが遅い信号
  • パッケージ寄生が小さいQFN等
  • タイミング余裕が十分ある回路

ただし「最終判定」としてpinのみで完結させるのはおすすめしません。


Q7. 結局、一番安全なやり方は?

シンプルです。

  1. pinで基板品質確認
  2. dieで成立性確認
  3. SSN込みでマージン確認

この3段構え。

これをやれば、
「解析OK → 実機NG」は大幅に減ります。

まとめ

pinは“基板の終端”。
dieは“論理の入口”。

評価基準をどこに置くかで、結果は変わります。

SI解析で最終判断するなら、

見るべきはdie。

pin評価で止めるのは、途中経過を見ているに過ぎません。

私が実機NGを経験してからは、
必ずdie波形でマージン確認しています。

同じ失敗を、もうしないために。

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